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碳化硅晶体生长工艺

碳化硅晶体主要有两个方面的应用:(1)碳化硅的硬度很大(仅小于金刚石),它的粉末可用作为磨料;(2)是一种很好的高温、高压半导体材料,现在已经在高压功率半导体器件中显示出了优良的性能.

2、晶体在熔体表面处生长,而不与坩埚相接触,这样能显著地减小晶体的应力,并防止锅壁的寄生成核

,提拉法生长的红宝石与焰熔法生长的红宝石相比,具有较低的位错密度,较高的光学均匀性,也不存在锒嵌结构

1.碳化硅化学性质温度一般不发生反应;2.当温度≥2600℃时SiC会分解,但分解出的si又会与炉料中的C生成SiC.

碳化硅(SiC).一般情况下,活泼性的元素在前.其中Si与C的共用电子对向C偏移,而且有4个电子对,所以Si显+4价C显-4价.

六方晶体

碳化硅晶体和金刚石一样,是原子晶体,空间网状结构,一个C与四个Si一形成正四面体结构,一个晶胞内有4个碳原子和4个Si原子.

生长碳化硅单晶体要用晶体生长炉,如果只是生产普通碳化硅材料只用高温烧结炉或者合成炉就行吧

高性能半导体器件 高压高电流密度高频率高温 集合空间 用于高端变频技术 高铁 航天器等

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件.该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势.国内独家碳化硅单晶供应商,在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位,已成功掌握76mm(3英寸)超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺,达到国际2001年先进水平.

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